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采用微機電系統(MEMS)技術結合金屬輔助化學腐蝕工藝制作出關鍵結構為納米氧化硅的陣列芯片,細胞可以定點黏附在納米氧化硅上。通過實驗計算和分析得知,在0.7~23μm內,納米線長度約為3μm時深寬比適宜,有利于黏附蛋白充分鋪展,黏附效率達到最高85%。改變培養時間(5~480 min)和細胞濃度(0.5~4.0),發現培養時間在不低于4 h,細胞濃度在1.5時,由于偽足充分纏繞于納米線上,陣列飽和度達到最高83%。實驗結果表明:制作出的單細胞陣列芯片具有較高的黏附效率和陣列飽和度,達到了高通量的標準。 高通量單細胞陣列芯片制備與研究面拋光片，經標準清洗工藝處理。流程圖如圖1所示。(a)在硅片上旋涂1．4μm的光刻正膠，轉速3000r/min，時間30s。(b)曝光和顯影，光刻膠被曝光的圓形陣列區域溶于顯影液。前烘溫度110℃，前烘時間90s，曝光時間3．5s，顯影時間45s，后烘135℃，時間30min。(c)深反應離子刻蝕(deepreactiveionetching，DRIE)或MACE工藝處理，使硅片表面沒有被光刻膠保護的部分被刻蝕得到硅納米線。(d)丙酮去膠，使平滑的硅裸露出來。(e)高溫熱氧，使得硅納米線區域以及平滑區域均被氧化，溫度950℃，時間210min。圖1陣列制備1信號分離-電動液壓縮管機數控滾圓機滾弧機價格低電動滾圓機多少錢．2硅納米線的制作1．2．1干法工藝DRIE是SF6和C4F8氣體對表面刻蝕、鈍化不斷重復的過程，通過合理設置各參數，可以在硅片表面生成微納級硅柱陣列［8］。1．2．2MACEMACE是一種各向異性腐蝕，包括兩個步驟:一是溶液中的金屬離子被還原，從而沉積在硅片表面;二是沉積的金屬做催化劑，使得它下面的硅發生氧化反應，形成的氧化硅被溶液中的HF刻蝕掉，從而使金屬繼續向下沉積［9］， 

www.suoguanjixie.name最終沒有被刻蝕的硅形成硅納米線。本實驗中所用金屬離子為Ag+，溶液各組成成分為:0．02mol/L的AgNO3，0．3mol/L的H2O2以及5mol/L的HF。實驗在室溫下進行，沉積30s，腐蝕時間根據實驗需要調節。實驗后殘余的金屬Ag用高濃度硝酸(5mol/L)去除。1．3細胞培養實驗步驟實驗所用細胞為人肺癌細胞A549，培養基為含有10%胎牛血清、1%抗生素的RPMI1640，培養箱中CO2含量為5%，溫度恒定在37℃。染色所用DiO探針對標記的細胞活性并無明顯影響，并且可存于細胞內長達數星期，可以滿足實驗要求分析鋼軌垂向應變信號基線漂移產生的原因,并采用小波變換對垂向應變信號進行分解與重構,分離信號中由溫度引起的應變與輪軌力產生的應變。在Matlab環境下對分布式鋼軌應力檢測技術與無線傳感網系統數據庫中垂向應變信號進行處理,結果表明,該方法可以有效地分離信號中的不同成分。 信號分離-電動液壓縮管機數控滾圓機滾弧機價格低電動滾圓機多少錢  www.suoguanjixie.name